日前，具有光电特性的连续碳化硅（SiC）自由薄膜关键技术被厦门大学材料学院突破了，制备出多种组分PCS先驱体，掌握了连续SiC自由薄膜不熔化交联预处理与高温裂解烧结的工艺。目前，该技术已申报6项国家发明专利，并形成了连续SiC自由薄膜材料小批量生产能力。

新型连续SiC自由薄膜是理想的新型宽带隙半导体材料，在微机电系统（MEMS）、光电集成器件、蓝光发光器件、光伏器件、高温紫外光敏器件及高温压力传感器等高技术领域应用前景广阔。

据悉，该项目的主要创新点为：从原料的合成阶段引入异质元素改性，制备出了耐超高温、低电阻率及高频发光特性的连续SiC(Al)自由薄膜，以及适合太阳能电池窗口材料的P型光伏薄膜。；将熔融纺膜与先驱体转化法相结合，制备出新型功能性连续SiC自由薄膜（厚度8～100微米、宽度20毫米、连续长度＞100米）