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半导体照明节能产业规划出台

放大字体  缩小字体 发布日期:2013-03-08   来源:中国建设报   浏览次数:768  分享到: 分享到腾讯微博

2015年:关键设备重要原材料实现国产化

规划提出:到2015年,关键设备和重要原材料实现国产化,重大技术取得突破。高端应用产品达到国际先进水平,节能效果更加明显。LED照明节能产业集中度逐步提高,产业集聚区基本确立,一批龙头企业竞争力明显增强。规划主要从三个方面提出了要求。

节能减排效果更加明显,市场份额逐步扩大。到 2015年,60W以上普通照明用白炽灯全部淘汰,市场占有率将降到10%以下;节能灯等传统高效照明产品市场占有率稳定在70%左右;LED功能性照明产品市场占有率达20%以上。此外,LED液晶背光源、景观照明市场占有率分别达70%和80%以上。与传统照明产品相比,LED道路照明节电30%以上,室内照明节电60%以上,背光应用节电50%以上,景观照明节电80%以上,实现年节电600亿千瓦时,相当于节约标准煤2100万吨,减少二氧化碳排放近6000万吨。

产业规模稳步增长,重点企业实力增强。LED 照明节能产业产值年均增长30%左右,2015年达到4500亿元 其中LED照明应用产品1800亿元 ;产业结构进一步优化,建成一批特色鲜明的半导体照明产业集聚区;形成10 15家掌握核心技术、拥有较多自主知识产权和知名品牌、质量竞争力强的龙头企业。

技术创新能力大幅提升,标准检测认证体系进一步完善。LED芯片国产化率80%以上,硅基LED芯片取得重要突破;核心器件的发光效率与应用产品的质量达到国际同期先进水平;大型MOCVD装备、关键原材料实现国产化,检测设备国产化率达70%以上;建立具有世界先进水平的研发、检测平台和标准、认证体系。

推进四项重点工程

规划提出将着力在产品示范应用、技术研发、装备制造、标准化推进等方面实施四大重点工程。

逐步加大财政补贴LED照明产品推广力度。在商业照明、工业照明及政府办公、公共照明等领域,重点开展LED筒灯、射灯等室内照明产品和系统的示范应用和推广;适时进入家居照明领域;在户外照明领域,重点开展LED隧道灯、路灯等产品和系统的示范应用。

大力发展大尺寸外延芯片制备、集成封装等产业化关键技术。优先发展基于大尺寸硅、蓝宝石、碳化硅衬底的LED芯片制备技术及三维、晶圆级等新型多功能集成封装技术的研发。

着力推进核心装备的引进消化吸收和再创新,力争实现生产型MOCVD设备量产。促进生产设备、工艺装备、检测设备制造商与材料工艺研究机构及用户间的合作。

加快制定与出台LED照明产品检测方法、性能、安全、规格、接口等国家标准、行业标准,结合国家相关政策实施,研究制定更高要求的技术规范。完善半导体照明标准体系,积极参与国际标准研究与制订。

2015年:关键设备重要原材料实现国产化

规划提出:到2015年,关键设备和重要原材料实现国产化,重大技术取得突破。高端应用产品达到国际先进水平,节能效果更加明显。LED照明节能产业集中度逐步提高,产业集聚区基本确立,一批龙头企业竞争力明显增强。规划主要从三个方面提出了要求。

节能减排效果更加明显,市场份额逐步扩大。到 2015年,60W以上普通照明用白炽灯全部淘汰,市场占有率将降到10%以下;节能灯等传统高效照明产品市场占有率稳定在70%左右;LED功能性照明产品市场占有率达20%以上。此外,LED液晶背光源、景观照明市场占有率分别达70%和80%以上。与传统照明产品相比,LED道路照明节电30%以上,室内照明节电60%以上,背光应用节电50%以上,景观照明节电80%以上,实现年节电600亿千瓦时,相当于节约标准煤2100万吨,减少二氧化碳排放近6000万吨。

产业规模稳步增长,重点企业实力增强。LED 照明节能产业产值年均增长30%左右,2015年达到4500亿元 其中LED照明应用产品1800亿元 ;产业结构进一步优化,建成一批特色鲜明的半导体照明产业集聚区;形成10 15家掌握核心技术、拥有较多自主知识产权和知名品牌、质量竞争力强的龙头企业。

技术创新能力大幅提升,标准检测认证体系进一步完善。LED芯片国产化率80%以上,硅基LED芯片取得重要突破;核心器件的发光效率与应用产品的质量达到国际同期先进水平;大型MOCVD装备、关键原材料实现国产化,检测设备国产化率达70%以上;建立具有世界先进水平的研发、检测平台和标准、认证体系。

推进四项重点工程

规划提出将着力在产品示范应用、技术研发、装备制造、标准化推进等方面实施四大重点工程。

逐步加大财政补贴LED照明产品推广力度。在商业照明、工业照明及政府办公、公共照明等领域,重点开展LED筒灯、射灯等室内照明产品和系统的示范应用和推广;适时进入家居照明领域;在户外照明领域,重点开展LED隧道灯、路灯等产品和系统的示范应用。

大力发展大尺寸外延芯片制备、集成封装等产业化关键技术。优先发展基于大尺寸硅、蓝宝石、碳化硅衬底的LED芯片制备技术及三维、晶圆级等新型多功能集成封装技术的研发。

着力推进核心装备的引进消化吸收和再创新,力争实现生产型MOCVD设备量产。促进生产设备、工艺装备、检测设备制造商与材料工艺研究机构及用户间的合作。

加快制定与出台LED照明产品检测方法、性能、安全、规格、接口等国家标准、行业标准,结合国家相关政策实施,研究制定更高要求的技术规范。完善半导体照明标准体系,积极参与国际标准研究与制订。

 

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