近期，首尔大学和三星尖端技术研究所宣布开发出了第一个由非晶玻璃衬底制造的发光二极管。
大家都知道，相对于生长在蓝宝石晶片上的GaN基发光二极管（GaNLEDs），生产商更愿意选择提高硅衬底氮化镓发光二极管（GaN-on-Si-basedLEDs）技术，因为蓝宝石晶圆的LED价格昂贵，而且不适合大尺寸的晶圆级阵列。
但由首尔大学和三星尖端技术研究所进行的研究发现，非晶玻璃衬底上的氮化镓发光二极管（GaNLEDs）不仅制造成本更低，在大尺寸LED晶圆级封装方面可扩展性也更强，而且由于玻璃衬底的透明度，还可用于光电发射设备。
据该研究显示，控制五个生长阶段InGaN/GaN多量子阱的MOCVD生长关键在于明白在在金字塔形的LED阵列里的发光层是一种薄膜钛预定向层，其与氮化镓六角形晶体结构类似。
继前定向层和最初的低温GaN层（LT-GaN）之后是一个洞图案的二氧化硅（SiO2）层，进一步明确了在使用外延过程中放射层生长阶段的成核点。
经过聚合的金字塔结构和最终的铟锡氧化物（ITO）电极层，金字塔形的LED器件照明将发出范围在448-478纳米之间600cd/m2的亮度。
